MOSFET a bipolárnymi tranzistory sú oba typy tranzistora . Tranzistor je elektronická súčiastka s tromi vývodmi , ktoré môžu byť použité ako elektronicky riadeného spínača alebo ako zosilňovač napätia . MOSFET je skratka pre Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor . BJT znamená Bipolárna tranzistor . Obaja MOSFET a BJTs sú široko používané v oblasti elektroniky a výpočtovej techniky . Vstupná impedancia
MOSFETmi majú vyššiu vstupnú impedanciu ako bipolárnymi tranzistormi . Vstupná impedancia je mierou odporu vstupného terminálu tranzistora na elektrický prúd . Pri navrhovaní napätie zosilňovača je žiaduce , aby vstupný odpor, aby sa tak vysoko, ako je to možné . Preto MOSFET sú viac široko používaný vo vstupnej fáze napätie zosilňovača .
Veľkosť
MOSFET môže byť oveľa menšia , než bipolárnymi tranzistormi . Mnoho ďalších MOSFET môže byť umiestnená v menšom priestore ako BJT . Z tohto dôvodu MOSFET tvoria podstatnú časť týchto tranzistorov použitých v mikročipov a počítačových procesorov . MOSFETy sú tiež ľahšie vyrobiť , ako bipolárnymi tranzistormi , pretože sa menej krokov, aby .
Hluku
tranzistory MOSFET sú menej hlučné než bipolárnymi tranzistormi . V kontexte elektronika hlukom sa vzťahuje na náhodné rušenie v signále . Ak je tranzistor slúži na zosilnenie signálu vnútorné procesy tranzistora predstaví niektoré z tohto náhodného rušenia . BJTs všeobecne zaviesť väčšiu šum do signálu , než MOSFETy . To znamená , že MOSFETy sú vhodné pre aplikácie spracovanie signálov alebo napäťových zosilňovačov .
Thermal Runaway
BJTs trpí majetku známy ako “ tepelné útek . “ Tepelná runaway deje preto , že vodivosť BJT sa zvyšuje s teplotou . Pretože tranzistory majú tendenciu ohriať v pomere k prúdu, ktorý tečie cez ne to znamená, že vodivosť a teplota BJT môže zvýšiť exponenciálne . Môže dôjsť k poškodeniu BJT a umožňuje navrhovanie obvodov pre BJTs ťažšie . MOSFET netrpia teplotného utecencov .